研究情報

レゾナックと東北大、廃棄シリコンとCO2からSiCパワー半導体材料を作る技術を共同研究（2025.7）

　㈱レゾナックと国立大学法人東北大学は、シリコンウェハーの製造過程で発生する廃棄物（シリコンスラッジ）と二酸化炭素（CO2）を原料とした炭化ケイ素（SiC）粉末を、パワー半導体に用いるSiC単結晶材料の成長用原料として応用するための基礎検討を2024年より行ってきた。本技術が実用化すれば、SiCパワー半導体は、製品として省エネルギー化に貢献するだけでなく、製造工程においても、CO2排出削減、シリコンスラッジおよびCO2の再資源化が実現し、ライフサイクル全体で環境負荷を低減することが可能になる。

　レゾナックと東北大学は、基礎検討段階が完了したため、このたび応用に向けた本格検討を開始した。

シリコンスラッジとCO2の再資源化イメージ図

詳しくは、→https://www.tohoku.ac.jp/japanese/2025/07/press20250708-02-sic.html